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導(dǎo)致晶振停振的幾個要素

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1、在壓封時,晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良,即石英晶體的密封性不好時,在酒精加壓的條件下,其表現(xiàn)為漏氣,稱之為雙漏,也會導(dǎo)致停振,
2、由于芯片本身的厚度很薄,當(dāng)激勵功率過大時,會使內(nèi)部石英芯片破損,導(dǎo)致停振;
3、在焊錫時,當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過,導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過程中,基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏,都會造成短路,從而引起停振;
4、由于石英晶體在剪腳和焊錫的時候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體,容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài),以至出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象,甚至停振;
5、有功負(fù)載會降低Q值(即品質(zhì)因素),從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象;
6、當(dāng)石英晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出石英晶體頻率偏差范圍過多時,以至于捕捉不到石英晶體的中心頻率,從而導(dǎo)致芯片不起振。
當(dāng)遇到以上情況時的正確處理方法:
1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性,及時處理不良品并分析原因;
2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Wo(hù)中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈,壓封倉要連續(xù)沖氮?dú)?,并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾?,否則及時處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對稱不可歪斜。
3、由于石英晶體是被動組件,它是由IC提供適當(dāng)?shù)募罟β识9ぷ鞯?,因此,?dāng)激勵功率過低時,晶體不易起振,過高時,便形成過激勵,使石英芯片破損,引起停振。所以,應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募罟β省A硗?,有功?fù)載會消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象,所以,外加有功負(fù)載時,應(yīng)匹配一個比較合適有功負(fù)載。
4、控制好剪腳和焊錫工序,并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量,引腳鍍層光亮均勻無麻面,無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏,可以在晶體下加一個絕緣墊片。
5、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時,應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容,可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決。

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